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Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Comparez
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Note globale
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Note globale
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
41
Autour de -46% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
28
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2412
1989
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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