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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
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Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
40
Autour de -43% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
2372
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
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