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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
40
Por volta de -43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.4
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
11.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
2372
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
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