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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Confronto
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Punteggio complessivo
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
29
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
22
Velocità di lettura, GB/s
12.8
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2282
3024
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
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