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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.16F 8GB
Confronto
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Crucial Technology CT102464BA160B.16F 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT102464BA160B.16F 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
44
Intorno -69% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
8.6
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.16F 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
44
26
Velocità di lettura, GB/s
12.6
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
9.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2193
2522
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.16F 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
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