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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Confronto
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
44
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
29
Velocità di lettura, GB/s
12.6
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2193
2984
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
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