RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB против Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
44
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
14.2
Скорость записи, Гб/сек
8.6
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2193
2984
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link