RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Confronto
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
44
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
22
Velocità di lettura, GB/s
12.6
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2193
2623
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link