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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Confronto
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
10.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
49
52
Intorno -6% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
2,027.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
49
Velocità di lettura, GB/s
4,837.1
10.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,027.0
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
794
2413
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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