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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Confronto
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,135.0
11.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
51
Intorno -55% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
33
Velocità di lettura, GB/s
5,021.4
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,135.0
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
855
2702
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
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