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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Confronto
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
19.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,135.0
16.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
51
Intorno -104% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
25
Velocità di lettura, GB/s
5,021.4
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,135.0
16.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
855
3890
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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