RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Confronto
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,135.0
11.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
51
Intorno -89% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
27
Velocità di lettura, GB/s
5,021.4
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,135.0
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
855
2687
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link