RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Confronto
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
51
74
Intorno 31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
13.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
2,135.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
74
Velocità di lettura, GB/s
5,021.4
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,135.0
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
855
1825
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Kingston 99P5474-013.A00LF 4GB
Kingston KHX1600C9D3LK2/8GX 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link