Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Punteggio complessivo
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Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB

Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB

Punteggio complessivo
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    26 left arrow 56
    Intorno 54% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    20.1 left arrow 13.6
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    10.5 left arrow 7.6
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 10600
    Intorno 1.81 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    26 left arrow 56
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.6 left arrow 20.1
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.6 left arrow 10.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1916 left arrow 2455
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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