RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
56
Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
56
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1916
2455
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link