RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
14.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
24
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2879
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link