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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Confronto
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,378.6
14.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
62
Intorno -100% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
31
Velocità di lettura, GB/s
4,670.6
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,378.6
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
861
3510
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
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