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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Motivi da considerare
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
27
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.9
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.6
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
18
Velocità di lettura, GB/s
13.9
20.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
16.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2251
3601
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
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