RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
27
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
18
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
3601
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link