RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
28
Intorno 4% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
28
Velocità di lettura, GB/s
13.9
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2251
2929
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link