RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2929
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Jinyu 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link