RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
65
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.9
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
5.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
1984
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link