RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
38
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
38
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
2841
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link