RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
27
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.4
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
25
Velocità di lettura, GB/s
13.9
21.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
19.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2251
4129
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link