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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Confronto
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Kingston XK2M26-MIE 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Punteggio complessivo
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
14
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
77
Intorno -97% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.4
1,884.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
39
Velocità di lettura, GB/s
2,936.9
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,884.0
6.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
564
2297
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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