RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
6.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
27
Intorno -13% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
24
Velocità di lettura, GB/s
13.9
13.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
6.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2251
2078
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link