RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
35
Intorno 23% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
35
Velocità di lettura, GB/s
13.9
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2251
2613
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link