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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
71
Intorno -184% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
25
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2892
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
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