RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
71
Wokół strony -184% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2892
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link