RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
75
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
4200
Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
31
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
21300
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
3199
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link