RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
34
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3145
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link