RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
57
77
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
57
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2233
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link