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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
57
77
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.3
3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
57
读取速度,GB/s
3,405.2
9.3
写入速度,GB/s
2,622.0
7.8
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2233
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology C 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
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