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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
49
Intorno 45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
8.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
49
Velocità di lettura, GB/s
13.9
10.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2251
2413
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
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