RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
49
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
49
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2413
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link