Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Punteggio complessivo
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Punteggio complessivo
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Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    27 left arrow 73
    Intorno 63% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.4 left arrow 7.9
    Valore medio nei test
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.1 left arrow 13.9
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 10600
    Intorno 1.81 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    27 left arrow 73
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.9 left arrow 15.1
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.4 left arrow 7.9
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2251 left arrow 1724
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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