Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Pontuação geral
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Pontuação geral
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Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    27 left arrow 73
    Por volta de 63% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.4 left arrow 7.9
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    15.1 left arrow 13.9
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 10600
    Por volta de 1.81 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    27 left arrow 73
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.9 left arrow 15.1
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.4 left arrow 7.9
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2251 left arrow 1724
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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