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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
7.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
39
Intorno -30% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.6
13.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
30
Velocità di lettura, GB/s
13.2
14.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2165
2196
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
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