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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Confronto
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
38
Intorno -111% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.9
7.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.7
3.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
18
Velocità di lettura, GB/s
7.2
20.9
Velocità di scrittura, GB/s
3.0
16.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
915
3609
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
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