RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
38
Rund um -111% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.9
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.7
3.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.2
20.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3.0
16.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
915
3609
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link