RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
41
Intorno 5% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
7.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
7.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
41
Velocità di lettura, GB/s
13.2
7.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2165
1855
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link