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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
41
Por volta de 5% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
7.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
7.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
41
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
7.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
7.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2165
1855
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
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