RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Punteggio complessivo
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
41
Intorno -11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.6
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
9.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
37
Velocità di lettura, GB/s
13.9
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.7
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2366
3518
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link