RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
41
Intorno -41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.1
9.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
29
Velocità di lettura, GB/s
13.9
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.7
16.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2366
3748
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link