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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Punteggio complessivo
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
41
Intorno -37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
13.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
30
Velocità di lettura, GB/s
13.9
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.7
9.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2366
2402
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology 11137401 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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