RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB vs SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
35
Intorno 20% latenza inferiore
Motivi da considerare
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.4
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
35
Velocità di lettura, GB/s
11.8
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1854
2768
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link