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Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB vs SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Note globale
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
35
Autour de 20% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
35
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1854
2768
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
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