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Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Confronto
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
36
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
10.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
33
Velocità di lettura, GB/s
15.0
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
10.8
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
21300
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2700
2824
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
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