RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Confronto
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
37
Intorno 19% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
14.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
7.4
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
37
Velocità di lettura, GB/s
14.6
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.4
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2196
3075
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
‹
›
Segnala un bug
×
Bug description
Source link