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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Confronto
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,001.3
10.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
58
Intorno -81% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
32
Velocità di lettura, GB/s
4,796.5
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,001.3
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
768
2900
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
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